第一階段（20世紀(jì)70年代之前）

以通孔插裝型封裝為主；典型的封裝形式包括最初的金屬圓形(TO型)封裝，以及后來(lái)的陶瓷雙列直插封裝(CDIP)、陶瓷-玻璃雙列直插封裝(Cer DIP)和塑料雙列直插封裝(PDIP)等；其中的PDIP,由于其性能優(yōu)良、成本低廉，同時(shí)又適于大批量生產(chǎn)而成為這一階段的主流產(chǎn)品。

第二階段（20世紀(jì)80年代以后）

從通孔插裝型封裝向表面貼裝型封裝的轉(zhuǎn)變，從平面兩邊引線(xiàn)型封裝向平面四邊引線(xiàn)型封裝發(fā)展。表面貼裝技術(shù)被稱(chēng)為電子封裝領(lǐng)域的一場(chǎng)革命，得到迅猛發(fā)展。與之相適應(yīng)，一些適應(yīng)表面貼裝技術(shù)的封裝形式，如塑料有引線(xiàn)片式裁體（PLCC）、塑料四邊引線(xiàn)扁平封裝（PQFP）、塑料小外形封裝（PSOP）以及無(wú)引線(xiàn)四邊扁平封裝（PQFN）等封裝形式應(yīng)運(yùn)而生，迅速發(fā)展。其中的PQFP，由于密度高、引線(xiàn)節(jié)距小、成本低并適于表面安裝，成為這一時(shí)期的主導(dǎo)產(chǎn)品。

第三階段（20世紀(jì)90年代以后）

半導(dǎo)體發(fā)展進(jìn)入超大規(guī)模半導(dǎo)體時(shí)代，特征尺寸達(dá)到0.18-0.25μm，要求半導(dǎo)體封裝向更高密度和更高速度方向發(fā)展。因此，半導(dǎo)體封裝的引線(xiàn)方式從平面四邊引線(xiàn)型向平面球柵陣列型封裝發(fā)展，引線(xiàn)技術(shù)從金屬引線(xiàn)向微型焊球方向發(fā)展。

在此背景下，焊球陣列封裝（BGA）獲得迅猛發(fā)展，并成為主流產(chǎn)品。BGA按封裝基板不同可分為塑料焊球陣列封裝（PBGA），陶瓷焊球陣列封裝（CBGA），載帶焊球陣列封裝（TBGA），帶散熱器焊球陣列封裝(EBGA)，以及倒裝芯片焊球陣列封裝（FC-BGA）等。

為適應(yīng)手機(jī)、筆記本電腦等便攜式電子產(chǎn)品小、輕、薄、低成本等需求，在BGA的基礎(chǔ)上又發(fā)展了芯片級(jí)封裝（CSP）;CSP又包括引線(xiàn)框架型CSP、柔性插入板CSP、剛性插入板CSP、園片級(jí)CSP等各種形式，目前處于快速發(fā)展階段。

同時(shí)，多芯片組件（MCM）和系統(tǒng)封裝（SiP）也在蓬勃發(fā)展，這可能孕育著電子封裝的下一場(chǎng)革命性變革。MCM按照基板材料的不同分為多層陶瓷基板MCM（MCM-C）、多層薄膜基板MCM（MCM-D）、多層印制板MCM（MCM-L）和厚薄膜混合基板MCM（MCM-C/D）等多種形式。SiP是為整機(jī)系統(tǒng)小型化的需要，提高半導(dǎo)體功能和密度而發(fā)展起來(lái)的。

SiP使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路如CMOS電路、GaAs電路、SiGe電路或者光電子器件、MEMS器件以及各類(lèi)無(wú)源元件如電阻、電容、電感等集成到一個(gè)封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

目前，半導(dǎo)體封裝處于第三階段的成熟期與快速增長(zhǎng)期，以BGA/CSP等主要封裝形式開(kāi)始進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)階段。同時(shí)，以SiP和MCM為主要發(fā)展方向的第四次技術(shù)變革處于孕育階段。