答案:
一,等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,等離子體是物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇,相互間的碰撞會(huì)導(dǎo)致氣體分子產(chǎn)生電離,物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。
?二,據(jù)測算,光在硅表面的反射損失率高達(dá)35%左右,減反膜可以極高地提高電池片對(duì)太陽光的利用率,有助于提高光生電流密度,進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)薄膜中的氫對(duì)于電池片表面的鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率,減小了暗電流,提升了開路電壓,提高了光電轉(zhuǎn)換效率;在燒穿工藝中的高溫瞬時(shí)退火斷裂了一些Si-H、N-H鍵,游離出來的H進(jìn)一步加強(qiáng)了對(duì)電池的鈍化。由于光伏級(jí)硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷,導(dǎo)致硅中少子壽命及擴(kuò)散長度降低,從而導(dǎo)致電池的轉(zhuǎn)換效率下降,H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng),從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。
?三、PECVD原理
PECVD 系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下,等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅??梢愿鶕?jù)改變硅烷對(duì)氨氣的比率,來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中,伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生,使得晶片的氫鈍化性十分良好。
在真空、480攝氏度的環(huán)境溫度下,通過對(duì)石墨舟的導(dǎo)電,使硅片的表面鍍上一層SixNy。3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2